Корейский гигант Samsung Electronics делает ставку на технологический прорыв. В сентябре 2026 года компания намерена первой в мире завершить разработку оперативной памяти DRAM, изготовленной по 1d-нм техпроцессу. Это позволит ей обойти главного конкурента — SK hynix, которая первой освоила 1c-нм DRAM, но пока не вышла на рынок с массовыми партиями. Технология 1d нм обещает не только повышенную плотность чипов, но и снижение энергопотребления, что критически важно для современных серверов и графических ускорителей. Samsung не скрывает амбиций вернуть себе статус технологического лидера, утраченный после того, как SK hynix первой представила память с нормами 1c нм в 2024 году. Гонка за нанометрами становится всё жёстче, и любой шаг вперёд может обернуться десятипроцентным отрывом в производительности или стоимости производства. А значит, от результатов этой работы зависит не только репутация Samsung, но и её доля на многомиллиардном рынке DRAM, где лидируют всего три игрока: Samsung, SK hynix и Micron.
Даже если Samsung удастся первой выйти на рынок с 1d-нм DRAM, путь от лаборатории до завода будет непростым. В декабре 2026 года компания планирует начать этап подготовки массового производства, а первые производственные линии начнут строить уже в первой половине 2027 года. По предварительным оценкам, первые серийные чипы появятся на свет не раньше декабря 2027 года. Это означает, что даже при успешном старте разработки коммерческие поставки начнутся с опозданием на год-полтора после анонса. Впрочем, для Samsung это приемлемая стратегия: компания предпочитает быть первой в технологическом развитии, даже если это требует терпения. В отрасли распространено мнение, что опережение на полшага в разработке DRAM окупается десятикратно, когда речь заходит о контрактах с гигантами вроде NVIDIA или Microsoft.
Новая память должна стать краеугольным камнем для целого семейства продуктов. Samsung планирует использовать 1d-нм DRAM в составе памяти HBM5E — высокоскоростных модулей, которые сегодня востребованы в системах искусственного интеллекта. HBM (High Bandwidth Memory) уже стала стандартом для серверов, обучающих нейросети, и графических ускорителей, а каждое новое поколение обещает рост скорости передачи данных на 50–100%. Если Samsung удастся интегрировать 1d-нм DRAM в HBM5E, это откроет путь к созданию памяти с рекордной плотностью и энергоэффективностью. К слову, конкуренты тоже не стоят на месте: SK hynix, несмотря на отставание в сроках, уже тестирует 1d-нм DRAM и рассчитывает завершить разработку к декабрю 2026 года. Гонка на этом не заканчивается — следующий раунд ожидает 1в-нм технологию, которая может появиться уже через два-три года.
Что это значит для конечного пользователя? Пока — не так много. DRAM и HBM нового поколения в первую очередь адресованы корпоративному сектору: дата-центрам, разработчикам ИИ и производителям серверного оборудования. Однако прорыв в технологиях памяти неизбежно отразится на всём рынке. Снижение стоимости производства и увеличение плотности чипов рано или поздно приведут к появлению более доступных устройств — от мощных рабочих станций до смартфонов с улучшенной производительностью. Но самое важное — эти разработки лягут в основу следующего поколения вычислительных систем, которые будут обучать более сложные нейросети, обрабатывать Big Data и поддерживать новые приложения вроде генеративного ИИ. Samsung, похоже, готова сыграть ключевую роль в этом процессе, и её успех может переформатировать правила игры на рынке памяти.
